特許
J-GLOBAL ID：200903001945550130
誤り訂正機能付半導体メモリ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡辺 望稔 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-202342
公開番号（公開出願番号）：特開平6-052697
出願日： 1992年07月29日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：
【要約】【目的】半導体集積回路の製造工程において生じる半導体メモリのメモリセルの不良および半導体メモリの使用時などにおけるソフトエラーに起因するメモリセルのメモリデータの誤りを簡単な回路構成で容易に訂正することができ、製造工程での高歩留りを実現することのできる誤り訂正機能付半導体メモリ、およびこの誤り訂正機能を持つ高信頼性モードと、従来の通常モードとを切り換えることのできる半導体メモリの提供。【構成】1つのアドレスの1つのビットに対して3個以上の奇数個のメモリセルを有するメモリセルアレイ部12と、多数決回路20を有するデータ出力部18とを備えた誤り訂正機能付半導体メモリおよび通常モードと高信頼性モードで書き込むメモリセルを切り換えるセレクタ26と、読み出されたメモリデータと多数決回路からの出力データとを切り換えるマルチプレクサ28とを備えた半導体メモリ。
請求項（抜粋）：
1つのアドレスの1つのビットに対して3個以上の奇数個のメモリセルを有するメモリセルアレイ部と、多数決回路を有するデータ出力部とを備えたことを特徴とする誤り訂正機能付半導体メモリ。
IPC (3件)：
G11C 29/00 302
, G06F 11/18 310
, G06F 12/16 310
