特許

J-GLOBAL ID：200903001953135339

薄膜キャパシタ

発明者： 佐野 賢也 ,  川久保 隆
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-078937
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274419
出願日： 1998年03月26日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】 Si基板上に下部電極を介して配向成長させた誘電体薄膜を有する薄膜キャパシタにおいて、拡散しやすい低融点金属である鉛やビスマスを使用せずに、リーク電流が低く残留分極量が大きく飽和特性の良好な薄膜キャパシタを得ること。【解決手段】 基板1上に積層されたバリア層2と、下部電極4と、ペロブスカイト型酸化物からなる誘電体薄膜5と、上部電極6とを具備し、前記バリア層の格子定数aと当該バリア層の下地層の格子定数bとが、|(4a-3b) /4a| ≦ 0.02なる関係を満たすことを特徴とする薄膜キャパシタである。バリア層2としては、V1-x Mx NもしくはCr1-x Mx N(MはSi、Al、Ti、Zr、Nbからなる群より選ばれる少なくとも1 種類の元素である。)が好ましい。

請求項（抜粋）：

基板上に積層されたバリア層と、下部電極と、ペロブスカイト型酸化物からなる誘電体薄膜と、上部電極とを具備する薄膜キャパシタであって、前記バリア層の格子定数aと当該バリア層の下地層の格子定数bとが、|(4a-3b) /4a| ≦ 0.02なる関係を満たすことを特徴とする薄膜キャパシタ。

IPC (5件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (3件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651