特許
J-GLOBAL ID：200903001954244174
集積回路の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
合田 潔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-078654
公開番号（公開出願番号）：特開平7-015015
出願日： 1994年04月18日
公開日（公表日）： 1995年01月17日
要約：
【要約】【目的】 中性不純物イオンをシリコン・トランジスタ素子に注入することによってラッチアップを防ぎ、ブレークダウン電圧を高める。【構成】 クリプトン、キセノン、ゲルマニウム等の中性不純物イオンが素子10に注入され、拡散中心が形成される。注入物はドレイン/本体接合部の高電界領域に拡散中心を形成するために用いられる。拡散中心により、電子の平均自由工程が減少し、よって電子が得るエネルギも減少する。キャリアのエネルギは低いので衝突電離も少なくなる。不純物原子はシリコン原子よりかなり大きくしなければならない。このサイズの違いにより拡散中心が生成される。
請求項（抜粋）：
寄生ラッチアップが少なく、ブレークダウン電圧が大きい集積回路を形成する方法であって、a)半導体基板を与えるステップと、b)上記基板上に酸化物層を成長させるステップと、c)上記基板全面に大径の中性原子を注入するステップと、d)上記基板上に能動素子を形成するステップと、e)上記基板上に導電体を形成して上記素子を相互接続するステップと、を含む方法。
IPC (2件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
