特許
J-GLOBAL ID：200903001955258470
高速ダイオード
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-003228
公開番号（公開出願番号）：特開平10-200132
出願日： 1997年01月10日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：
【要約】【課題】高濃度のn+ サブストレート上のnエピタキシャル層の表面層に選択的にp+ アノード領域が形成され、ライフタイムキラーが導入された高速ダイオードにおいて、低ノイズ化を図る。【解決手段】p+ アノード領域を、高不純物濃度、浅い拡散深さの第一p+アノード領域4と、低不純物濃度、深い拡散深さの第二pアノード領域5とを重複したものとする。低不純物濃度の第二pアノード領域5を設けることによって、順バイアス状態での第二pアノード領域5からi層9への少数キャリアの注入が抑えられ、蓄積キャリアが少なくなるため、逆バイアス状態に切り換えた時、過渡現象である逆電流が小さくなり、また逆回復時間が短くなって、電子装置に使用した場合に低ノイズとなる。
請求項（抜粋）：
高濃度の不純物を含む第一導電型の第一半導体領域上に、低不純物濃度の第一導電型の第二半導体領域が形成され、その第二半導体領域の表面層に第二導電型の第三半導体領域が形成され、前記第一半導体領域と第三半導体領域にそれぞれ電極が設けられ、ライフタイムキラーが導入された高速ダイオードにおいて、前記第三半導体領域と第二の半導体領域との間に第三半導体領域より低不純物濃度の第二導電型の第四半導体領域を有することを特徴とする高速ダイオード。
FI (2件)：
H01L 29/91 C
, H01L 29/91 J
