特許

J-GLOBAL ID：200903001956088285

不揮発性メモリセルの読出し方法

発明者： アッサフ・シャッピール ,  ギュイ・コーヘン ,  エリ・ラスカイ
出願人/特許権者： サイファン・セミコンダクターズ・リミテッド
代理人 (6件)： 社本 一夫 ,  小野 新次郎 ,  小林 泰 ,  千葉 昭男 ,  富田 博行 ,  西山 文俊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-222247
公開番号（公開出願番号）：特開2007-052907
出願日： 2006年08月17日
公開日（公表日）： 2007年03月01日
要約：

【課題】2つのビットを記憶するNROMセルを正確に読み出す。【解決手段】本方法は、メモリセルの異なるグループの閾値電圧分布の変化の関数としてメモリセルのグループを読出すための読出し基準レベルを変更する段階を含む。変更ステップは、不揮発性メモリセルアレイのメモリセルのグループと関連付けられた履歴セルのグループの履歴読出し基準レベルを決定する段階と、履歴セルのグループの正確な読出しを可能にする段階と、第1の読出し基準レベルに応じてメモリ読出し基準レベルを選択する段階と、不揮発性メモリアレイのセルを読出す段階とを含む。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

不揮発性メモリセルアレイに属するメモリアレイのグループに関連付けられた履歴セルのグループのプログラム閾値電圧に基づいてメモリ読出し基準レベルを決定する段階と、 前記メモリ読出し基準レベルを用いて前記アレイのメモリセルを読出す段階と、 を含む方法。

IPC (3件)：

G11C 16/06 ,  G11C 16/04 ,  G11C 16/02

FI (3件)：

G11C17/00 634E ,  G11C17/00 621Z ,  G11C17/00 641

Fターム (11件)：

5B125BA08 ,  5B125BA19 ,  5B125CA21 ,  5B125DA09 ,  5B125DB08 ,  5B125DC08 ,  5B125EG16 ,  5B125EG17 ,  5B125EJ05 ,  5B125EJ08 ,  5B125FA05

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 米国特許第6,649,972号公報
  
• 米国特許第6,490,204号公報