特許

J-GLOBAL ID：200903001965631960

窒化物半導体素子のエピタキシャル成長

発明者： ヅァン ヅー ソン ,  ツァイ ヅォン リャン
出願人/特許権者： ユナイテッド エピタクシー カンパニー リミッテッド
代理人 (1件)： 恩田 博宣 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-288837
公開番号（公開出願番号）：特開2002-110545
出願日： 2000年09月22日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、転位密度を低下させた半導体素子を提供する。【解決手段】 半導体素子10は、基板1とAlGaInN化合物半導体3との間に多核2を含む。基板1とAlGaInN化合物半導体3との間の結晶格子の差により誘起する転位密度が著しく低下すると共に、AlGaInN化合物半導体3の成長が向上する。

請求項（抜粋）：

半導体素子であって、単結晶基板と、前記単結晶基板上にある多核であって、異なる結晶格子定数を有する少なくとも2つの材料から成り、それぞれ単離している多核と、前記多核上にある転位抑制層と、前記転位抑制層上にあるエピタキシ層と、を備えることを特徴とする半導体素子。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/38 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/343

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/343

Fターム (45件)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB01 ,  4G077ED06 ,  4G077EF01 ,  4G077HA02 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AF02 ,  5F045AF04 ,  5F045AF07 ,  5F045AF14 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045DA52 ,  5F045DA55 ,  5F045EB15 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073DA05 ,  5F073EA29