特許
J-GLOBAL ID：200903001966473691
薄膜トランジスタ形成パネル
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-181624
公開番号（公開出願番号）：特開平5-006845
出願日： 1991年06月27日
公開日（公表日）： 1993年01月14日
要約：
【要約】【構成】i型半導体層5のチャンネル領域の上に設けるブロッキング層を、金属膜をその全厚にわたって陽極酸化させた酸化金属膜8とした。【効果】上記金属膜とゲート絶縁膜4とは、その材質が全く異なるため、上記金属膜のパターニング時にそのエッチング液によってゲート絶縁膜4がエッチングされることはないから、ゲート絶縁膜をエッチングしてしまうことなくi型半導体層のチャンネル領域の上にブロッキング層を形成することができる。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板上に、ゲート電極およびこのゲート電極につながるゲート配線と、このゲート電極およびゲート配線を覆うゲート絶縁膜とを形成し、前記ゲート電極およびその上のゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の上に前記ゲート電極に対向させて形成したi型半導体層と、このi型半導体層の上に形成され且つチャンネル領域において分離されたn型半導体層を介して形成したソース電極およびドレイン電極とで薄膜トランジスタを構成するとともに、前記ゲート絶縁膜の上に、前記ソース電極とドレイン電極とのうち少なくとも一方の電極につながるデータ配線を形成した薄膜トランジスタ形成パネルにおいて、前記i型半導体層のチャンネル領域の上に、金属膜をその全厚にわたって陽極酸化させた酸化金属膜からなるブロッキング層を設けたことを特徴とする薄膜トランジスタ形成パネル。
IPC (2件)：
H01L 21/02
, G02F 1/136 500
