特許
J-GLOBAL ID:200903001968710542

半導体装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 竹村 壽
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-232857
公開番号(公開出願番号):特開2007-048995
出願日: 2005年08月11日
公開日(公表日): 2007年02月22日
要約:
【課題】 ダイシング工程において、膜剥れ防止膜を形成する際に膜剥れが従来より少なく良品の多い半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体ウェハ1に半導体素子を形成し、ダイシングライン2、3の両側に間隔を開けてレーザ照射光を当て、膜剥れ防止溝を形成する。半導体ウェハ1をダイシングライン2、3に沿ってダイシングを行い複数の半導体チップに分割する。レーザ照射光は、少なくとも一部は間欠的にレーザ照射を行う離散光である。レーザ照射が少なく、熱の影響が低減されるので、膜剥れ防止膜を形成する際に膜剥れが従来より少なく良品の多いダイシング処理が行われる。【選択図】 図3
請求項(抜粋):
半導体ウェハに半導体素子を形成する工程と、 前記半導体ウェハのダイシングラインの両側に間隔を置いてレーザ照射光を当て、膜剥れ防止溝を形成する工程と、 前記半導体ウェハをダイシングラインに沿ってダイシングを行い複数の半導体チップに分割する工程とを備え、 前記レーザ照射光は、少なくとも一部は間欠的にレーザ照射を行う離散光であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件):
H01L 21/301
FI (1件):
H01L21/78 L
引用特許:
出願人引用 (1件)

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