特許

J-GLOBAL ID：200903001969788367

半導体集積回路の製造方法

発明者： 永野 暢雄
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-124862
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216256
出願日： 1999年04月30日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、回路内で全トランジスタ素子が高周波特性のピーク付近のバイアスで動作できるために、少なくとも2種類以上のオン電圧を有するレベルシフトダイオードを集積回路上に製造し回路の超高速動作を得る。【解決手段】 半導体基板または半導体基板上の絶縁膜上にトランジスタ素子および抵抗体、インダクタ、容量等のパッシブ素子を製造する半導体集積回路の製造方法において、選択再成長プロセス、選択イオン注入プロセスまたは熱拡散プロセスを用いて少なくとも2種類以上の異なるオン電圧を有するダイオードを作製することを特徴とする半導体集積回路の製造方法である。

請求項（抜粋）：

半導体基板または半導体基板上の絶縁膜上にトランジスタ素子および抵抗体、インダクタ、容量の少なくとも一つを含むパッシブ素子を製造する半導体集積回路の製造方法において、選択再成長プロセスを用いて少なくとも2種類以上の異なるオン電圧を有するダイオードを製作することを特徴とする半導体集積回路の製造方法。【請求項2】 半導体基板または半導体基板上の絶縁膜上にトランジスタ素子および抵抗体、インダクタ、容量の少なくとも一つを含むパッシブ素子を製造する半導体集積回路の製造方法において、選択イオン注入プロセスを用いて少なくとも2種類以上の異なるオン電圧を有するダイオードを製作することを特徴とする半導体集積回路の製造方法。【請求項3】 半導体基板または半導体基板上の絶縁膜上にトランジスタ素子および抵抗体、インダクタ、容量の少なくとも一つを含むパッシブ素子を製造する半導体集積回路の製造方法において、熱拡散プロセスを用いて少なくとも2種類以上の異なるオン電圧を有するダイオードを製作することを特徴とする半導体集積回路の製造方法。【請求項4】 前記半導体集積回路のダイオードが、PN接合ダイオードである請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体集積回路の製造方法。【請求項5】 前記半導体集積回路のダイオードが、ショトキーダイオードである請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体集積回路の製造方法。【請求項6】 前記半導体集積回路のトランジスタが、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)である請求項1乃至5のいずれか1項に記載の半導体集積回路の製造方法。【請求項7】 前記半導体集積回路のトランジスタが、ヘテロ接合電界効果トランジスタ(HJFET、HEMTを含むトランジスタ)である請求項1乃至5のいずれか1項に記載の半導体集積回路の製造方法。【請求項8】 前記半導体集積回路のトランジスタが、金属・半導体接触電界効果トランジスタ(MESFET)である請求項1乃至5のいずれか1項に記載の半導体集積回路の製造方法。【請求項9】 前記半導体集積回路のトランジスタが、PN接合電界効果トランジスタ(JFET)である請求項1乃至5のいずれか1項に記載の半導体集積回路の製造方法。【請求項10】 前記半導体集積回路のトランジスタが、金属・絶縁膜電界効果トランジスタ(MOSFET、MISFETを含むトランジスタ)である請求項1乃至5のいずれか1項に記載の半導体集積回路の製造方法。

IPC (8件)：

H01L 21/8222 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/872 ,  H01L 27/095 ,  H01L 29/861 ,  H01L 21/329

FI (6件)：

H01L 27/06 101 D ,  H01L 27/04 A ,  H01L 29/48 H ,  H01L 29/80 E ,  H01L 29/91 L ,  H01L 29/91 A

Fターム (53件)：

4M104AA05 ,  4M104BB02 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104CC05 ,  4M104EE03 ,  4M104GG06 ,  4M104GG09 ,  4M104GG11 ,  4M104GG12 ,  5F038AV04 ,  5F038AV05 ,  5F038AV06 ,  5F038AZ10 ,  5F038BB07 ,  5F038DF20 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ08 ,  5F038EZ13 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ20 ,  5F082AA06 ,  5F082BA03 ,  5F082BA35 ,  5F082BA40 ,  5F082BA47 ,  5F082BC01 ,  5F082BC08 ,  5F082BC09 ,  5F082BC11 ,  5F082BC12 ,  5F082EA03 ,  5F082EA10 ,  5F082EA24 ,  5F082FA20 ,  5F082GA04 ,  5F102FA00 ,  5F102GA14 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD04 ,  5F102GJ05 ,  5F102GL04 ,  5F102GM06 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR07 ,  5F102GR09 ,  5F102GS04 ,  5F102HC02 ,  5F102HC07 ,  5F102HC10 ,  5F102HC16

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭58-056459