特許

J-GLOBAL ID：200903001972241883

半導体電力変換装置

発明者： 市原 昌文
出願人/特許権者： 株式会社明電舎
代理人 (1件)： 志賀 富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-391819
公開番号（公開出願番号）：特開2002-198792
出願日： 2000年12月25日
公開日（公表日）： 2002年07月12日
要約：

【要約】【課題】 IGBTのドライブ回路として、ゲート抵抗をアナログスイッチで切り替えるには、高速で大きな電流によるゲート制御ができない。【解決手段】 ゲート抵抗RG1〜RG3とアナログスイッチS1〜S3によるゲート抵抗切り替えを行い、このゲート抵抗とゲートキャパシタンスを模擬するコンデンサC1によってゲート電圧を模擬し、これを電流アンプAMPによって電流増幅し、コンデンサC2の充放電電圧でIGBTのゲート電圧を得る。コンデンサC1をゲート抵抗の切り替えに並行して切り替えることも含む。

請求項（抜粋）：

主回路を自己消弧形半導体素子で構成し、該素子のドライブ回路はゲート抵抗を介して素子にゲート電圧を印加し、ゲート抵抗の抵抗値をスイッチで切り替えて素子のサージ電圧とスイッチング損失のトレードオフの関係を切り替える半導体電力変換装置において、前記ドライブ回路は、ゲートドライバからのゲート信号を複数のゲート抵抗とアナログスイッチでゲート抵抗値を切り替えるゲート抵抗切り替え回路と、半導体素子のゲートキャパシタンスを模擬するコンデンサを入力端に有し、前記ゲート抵抗切り替え回路の出力を電流増幅し、この電流で充放電されるコンデンサを出力端に有して半導体素子のゲート入力とする電流アンプ回路とを備えたことを特徴とする半導体電力変換装置。

IPC (3件)：

H03K 17/16 ,  H02M 1/08 ,  H03K 17/56

FI (3件)：

H03K 17/16 Z ,  H02M 1/08 A ,  H03K 17/56 Z

Fターム (14件)：

5H740AA03 ,  5H740BA11 ,  5H740KK01 ,  5J055AX13 ,  5J055AX25 ,  5J055BX16 ,  5J055CX20 ,  5J055DX09 ,  5J055EY01 ,  5J055EY10 ,  5J055EY12 ,  5J055FX04 ,  5J055FX27 ,  5J055GX01