特許

J-GLOBAL ID：200903001972427073

プラズマ成膜装置およびそれを用いた成膜方法

発明者： 酒井 道 ,  岡本 昌也
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-005948
公開番号（公開出願番号）：特開2002-217111
出願日： 2001年01月15日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
要約：

【要約】【課題】 比較的大面積の成膜基板に均一性の高い膜を形成するプラズマ成膜装置を提供する。【解決手段】 真空容器5内に電極2が配置される電極基板3が設置されている。電極2は電極基板3上にストライプ状に多数配置されている。電極2と対向する位置に成膜基板4がホルダ8により保持される。材料ガスを供給するためのガス供給部13が設けられている。電源部1により電圧が印加される電極2a(カソード電極)の間に、3つの接地電位にある電極2b(アノード電極)が配置されている。

請求項（抜粋）：

処理室と、前記処理室内に材料ガスを導入するための材料ガス導入口と、カソード電極およびアノード電極を含む電極とを備え、前記電極は、前記カソード電極と前記アノード電極との間で生じる放電経路に基づいて形成される前記材料ガスのラジカル生成領域を前記処理室に導入されて処理が施される基板の面に沿って時間的に移動させることおよび前記基板の面に沿った長さが隣合う電極間隔よりも長い放電経路を生じさせることの少なくともいずれかを行う、プラズマ成膜装置。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  B01J 19/08 ,  C23C 16/503 ,  C23C 16/509 ,  H05H 1/46

FI (5件)：

H01L 21/205 ,  B01J 19/08 H ,  C23C 16/503 ,  C23C 16/509 ,  H05H 1/46 M

Fターム (40件)：

4G075AA24 ,  4G075AA30 ,  4G075BC01 ,  4G075BC04 ,  4G075CA25 ,  4G075CA47 ,  4G075EB42 ,  4G075EC21 ,  4G075ED11 ,  4G075EE31 ,  4G075FB02 ,  4G075FB12 ,  4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030AA24 ,  4K030BA29 ,  4K030BA30 ,  4K030BA40 ,  4K030BA44 ,  4K030CA17 ,  4K030FA03 ,  4K030KA15 ,  4K030KA30 ,  4K030LA15 ,  4K030LA16 ,  4K030LA18 ,  5F045AA08 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AD06 ,  5F045AE19 ,  5F045AF07 ,  5F045BB02 ,  5F045CA13 ,  5F045CA15 ,  5F045DP05 ,  5F045EH04 ,  5F045EH12 ,  5F045EH20