薄膜トランジスタおよびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉村次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-148326
公開番号（公開出願番号）：特開平6-338611
出願日： 1993年05月28日
公開日（公表日）： 1994年12月06日
要約：

【要約】【目的】ポリシリコン膜の表面に凹凸があっても、その上に堆積されるゲート絶縁膜を平坦でほぼ均一の膜厚とする。【構成】絶縁基板1の上面に堆積したアモルファスシリコン膜2を、アニール処理により結晶化して、ポリシリコン膜3とする。次に、ポリシリコン膜3の表面にスピンコートにより酸化シリコン膜5をその表面が平坦となるように塗布する。次に、酸化シリコン膜5を少なくともポリシリコン膜3の表面が露出するまでエッチングする。この状態では、酸化シリコン膜5を含むポリシリコン膜3の表面がほぼ平坦となる。次に、酸化シリコン膜5およびポリシリコン膜3の表面にゲート絶縁膜6を堆積する。すると、ゲート絶縁膜6を平坦でほぼ均一の膜厚とすることができる。

請求項（抜粋）：

表面が凹凸のポリシリコン膜上に酸化シリコンが設けられていることによりほぼ平坦となった表面にゲート絶縁膜を設けてなることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

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