磁気抵抗効果素子およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：皿田秀夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-095214
公開番号（公開出願番号）：特開平10-275948
出願日： 1997年03月28日
公開日（公表日）： 1998年10月13日
要約：

【要約】【課題】信頼性が高いことはもとより、簡単な製造プロセスにより安価に歩留良く製造できる磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】基板の上に、磁界検出のための磁気抵抗効果を有する磁性膜と、該磁性膜に電流を流すための電気めっき法により形成された導電体電極膜と、該導電体電極膜をめっき法により形成するための下地導電膜とを有する磁気抵抗効果素子であって、前記下地導電膜が、磁界検出のための磁気抵抗効果を有する磁性膜と連続した同一膜であるように構成する。

請求項１：

基板の上に、磁界検出のための磁気抵抗効果を有する磁性膜と、該磁性膜に電流を流すための電気めっき法により形成された導電体電極膜と、該導電体電極膜をめっき法により形成するための下地導電膜とを有する磁気抵抗効果素子であって、前記下地導電膜が、磁界検出のための磁気抵抗効果を有する磁性膜と連続した同一膜であることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (4件)：

H01L 43/08 , C25D 5/02 , H01F 10/00 , H01L 43/12

FI (4件)：

H01L 43/08 Z , C25D 5/02 E , H01F 10/00 , H01L 43/12

引用特許：

出願人引用 (9件)

ハイブリッド磁気センサー
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-327696 出願人：旭化成工業株式会社
磁気センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-223445 出願人：旭化成工業株式会社
半導体磁気センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-198527 出願人：松下電器産業株式会社

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審査官引用 (2件)

ハイブリッド磁気センサー
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-327696 出願人：旭化成工業株式会社
磁気センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-223445 出願人：旭化成工業株式会社

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