半導体素子およびその製造方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：奥田誠司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-023755
公開番号（公開出願番号）：特開2006-210818
出願日： 2005年01月31日
公開日（公表日）： 2006年08月10日
要約：

【課題】炭化珪素層を有する半導体素子において、量産性に優れた実用的なプロセスを用いてチャネル移動度を向上させる【解決手段】(A)炭化珪素層3の上に酸化物層11を形成する工程と、(B)酸化物層11に対して窒素処理を行うことにより酸化物層11に窒素を含有させて窒素含有酸化物層12を形成する工程とを包含し、窒素処理は、窒素酸化物ガスおよびアンモニアガスの少なくとも一方を含むガスをアルゴンより分子量の小さい不活性ガスで希釈した窒素含有ガスに1100°C以上1300°C以下の温度で酸化物層11の表面を曝露する工程を含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

(A)炭化珪素層の上に酸化物層を形成する工程と、 (B)前記酸化物層に対して窒素処理を行うことにより前記酸化物層に窒素を含有させて窒素含有酸化物層を形成する工程とを包含し、前記窒素処理は、窒素酸化物ガスおよびアンモニアガスの少なくとも一方を含むガスをアルゴンより分子量の小さい不活性ガスで希釈した窒素含有ガスに1100°C以上1300°C以下の温度で前記酸化物層の表面を曝露する工程を含む半導体素子の製造方法。

IPC (8件)：

H01L 21/318 , H01L 21/28 , H01L 21/283 , H01L 29/78 , H01L 29/12 , H01L 21/336 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (9件)：

H01L21/318 C , H01L21/28 301B , H01L21/283 B , H01L29/78 652K , H01L29/78 652T , H01L29/78 658F , H01L29/78 301B , H01L29/78 301G , H01L27/04 C

Fターム (60件)：

4M104AA03 , 4M104BB01 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB09 , 4M104BB16 , 4M104BB18 , 4M104CC05 , 4M104DD28 , 4M104EE03 , 4M104EE12 , 4M104EE14 , 4M104EE17 , 4M104FF13 , 4M104GG08 , 4M104GG18 , 4M104GG19 , 5F038AC03 , 5F038AC05 , 5F038AC15 , 5F038AC16 , 5F038AC18 , 5F038AV06 , 5F038EZ02 , 5F038EZ14 , 5F038EZ20 , 5F058BC11 , 5F058BD15 , 5F058BF62 , 5F058BF63 , 5F058BH02 , 5F058BH04 , 5F058BJ01 , 5F140AA02 , 5F140AA05 , 5F140AA29 , 5F140AC23 , 5F140AC39 , 5F140BA02 , 5F140BA16 , 5F140BA20 , 5F140BC12 , 5F140BD01 , 5F140BD07 , 5F140BD09 , 5F140BE07 , 5F140BE08 , 5F140BE10 , 5F140BE16 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF07 , 5F140BF11 , 5F140BF15 , 5F140BF17 , 5F140BJ01 , 5F140BJ05 , 5F140BK29 , 5F140BK33

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