特許
J-GLOBAL ID：200903001982734632
パターン形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小島 隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-022649
公開番号（公開出願番号）：特開平10-268521
出願日： 1998年01月20日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：
【要約】【解決手段】 基板上に形成されたポリシラン膜に、酸素の存在下に短時間の選択的光照射を行って光照射部の表層のみにSi-O結合を持つパターンを形成させた後、上記光照射部に周期表第8族又は第1B族の金属塩を吸着させ、次いで加熱して上記光照射部の垂直方向残部のSi-Si結合をSi-O結合へ変化させることを特徴とするパターン形成方法。【効果】 本発明のパターン形成方法によれば、安価で簡便かつ迅速な工程により、優れた精細度のポリシランパターンを形成した基板を得ることができ、この特性から、例えばこのパターンに銀塩を作用させれば、電子材料へ応用することができる経時的に導電性が安定で極微細なパターンを高精度で形成した高導電パターン基板を得ることができる。
請求項（抜粋）：
基板上に形成されたポリシラン膜に、酸素の存在下に短時間の選択的光照射を行って光照射部の表層のみにSi-O結合を持つパターンを形成させた後、上記光照射部に周期表第8族又は第1B族の金属塩を吸着させ、次いで加熱して上記光照射部の垂直方向残部のSi-Si結合をSi-O結合へ変化させることを特徴とするパターン形成方法。
IPC (5件)：
G03F 7/075 511
, G03F 7/26 521
, G03F 7/38 512
, H01L 21/027
, H05K 3/18
G03F 7/075 511
, G03F 7/26 521
, G03F 7/38 512
, H05K 3/18 B
, H01L 21/30 568
