特許
J-GLOBAL ID：200903001985367622
薄膜導体パターンの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-085832
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291256
出願日： 1992年04月08日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 薄膜導体パターンの製造方法に関し、アンダーカットの抑制を目的とする。【構成】 基板上に形成した金属膜に、写真蝕刻技術を用いてウエットエッチングを行い、導体パターンを形成する際に、金属膜8,9,10,11を上層ほどエッチング速度の小さな複数の膜で形成することを特徴として薄膜導体パターンの製造方法を構成する。
請求項（抜粋）：
基板上に形成した金属膜に、写真蝕刻技術を用いてウエットエッチングを行い、導体パターンを形成する際に、該金属膜を上層ほどエッチング速度の小さな複数の膜で形成することを特徴とする薄膜導体パターンの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/306
