特許
J-GLOBAL ID：200903001996110003
圧力勾配型プラズマ発生装置を用いた成膜装置のプラズマ拡散方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
秋元 輝雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-149447
公開番号（公開出願番号）：特開2004-353012
出願日： 2003年05月27日
公開日（公表日）： 2004年12月16日
要約：
【課題】大型基板に対して効率的な膜形成が可能な圧力勾配型プラズマ発生装置を用いた成膜方法を提供する。【解決手段】圧力勾配型プラズマ発生装置20で形成されて成膜装置25の真空容器1内に導入された高密度のプラズマビーム13が、成膜装置25の成膜容器1内のプラズマ発生装置20の中心軸上に配置された環状の永久磁石15がつくり出す磁場によって真空容器1内に拡散され、真空容器1内の成膜材料分子をイオン化して大型基板全面に付着させ、基板表面に均一な膜を効率よく形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
圧力勾配型プラズマ発生装置と成膜装置とが対向するように配置され、前記圧力勾配型プラズマ発生装置で発生されて前記成膜装置内に導入されたプラズマビームが前記成膜装置内の成膜材料蒸発粒子をイオン化させて基板表面に付着させることによって膜を形成する圧力勾配型プラズマ発生装置を用いた成膜装置であって、前記成膜装置内の前記プラズマビーム導入口近傍から前記基板の間の前記プラズマビームの略中心軸を略中心として前記プラズマビームを拡散する手段を設けたことを特徴とする圧力勾配型プラズマ発生装置を用いた成膜装置のプラズマ拡散方法。
IPC (3件)：
C23C14/32
, H01J37/32
, H05H1/46
C23C14/32 B
, H01J37/32
, H05H1/46 A
