特許

J-GLOBAL ID：200903001997649011

積層セラミックコンデンサの製造方法

発明者： 安保 多美子 ,  大槻 悦夫 ,  百谷 浩
出願人/特許権者： 株式会社トーキン
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-083965
公開番号（公開出願番号）：特開平7-272969
出願日： 1994年03月29日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：

【要約】【目的】 セラミック層と内部電極層との界面およびコンデンサ素子と外部電極との界面における進行性の剥離、脱粒に起因する絶縁性劣化のない積層セラミックコンデンサの製造方法を供する。【構成】 外部電極Bを構成する外部電極中間層4を電解メッキ法によって形成する際に、電解質としてトリフルオロ酢酸ニッケル(Ni(CF3COO)2)、過塩素酸ニッケル(Ni(ClO4)2)、スルファミン酸ニッケル(Ni(OSO2NH2)2)より選ばれた少なくとも一種以上を有機溶媒に溶解したメッキ電解液を用いる。

請求項１：

誘電体セラミック層と低抵抗金属からなる内部電極層とを交互に積層して形成した積層体の側面に、内部電極層に接続する下地層と、その上に中間層と、一番外側の上地層とからなる外部電極を設けた積層セラミックコンデンサの製造方法において、前記外部電極の中間層を、電解質としてトリフルオロ酢酸ニッケル(Ni(CF3COO)2)、過塩素酸ニッケル(Ni(ClO4)2)、スルファミン酸ニッケル(Ni(OSO2NH2)2)より選ばれた少なくとも一種以上を有機溶媒に溶解したメッキ電解液を用いた電解メッキ法により形成することを特徴とする積層セラミックコンデンサの製造方法。

IPC (4件)：

H01G 4/12 364 ,  C25D 3/12 ,  C25D 3/12 102 ,  H01G 4/252