特許

J-GLOBAL ID：200903001999651641

LSI用パターンのレイアウト作成方法及びLSI用パターンの形成方法

発明者： 三坂 章夫 ,  合田 明彦 ,  海本 博之 ,  小田中 紳二 ,  松岡 晃次
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-083473
公開番号（公開出願番号）：特開平10-284608
出願日： 1997年04月02日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
要約：

【要約】【課題】 リソグラフィ工程における露光条件が変更になっても、変更後の露光条件に対応するマスクレイアウトを速やかに作成できるようにする。【解決手段】 パターン仕上がり寸法(CD)が、マスクにおけるパターンの幅寸法、該パターンの両側の第1のスペース及び第2のスペースの各幅寸法並びにリソグラフィ工程における露光条件を変数とする連続関数の多項式によって表わされたCD評価関数式を作成する。LSI用パターンを構成する複数のパターンから寸法制御の対象となる対象パターンを抽出し、CD評価関数式に、対象パターンと対応するマスクにおけるパターン、第1のスペース及び第2のスペースの各幅寸法並びに露光条件を代入することにより、対象パターンのCDを算出する。算出されたCDが許容範囲内であると判断するときに、CD評価関数式に代入されたパターン、第1のスペース及び第2のスペースの各幅寸法に基づいてLSI用パターンのマスクレイアウトを作成する。

請求項（抜粋）：

リソグラフィ工程におけるパターン仕上がり寸法が、マスクにおけるパターンの幅寸法、該パターンの両側に位置するマスクにおける第1のスペース及び第2のスペースの各幅寸法並びにリソグラフィ工程における露光条件を変数とする連続関数によって表わされてなる仕上がり寸法評価式を作成する仕上がり寸法評価式作成工程と、LSI用パターンを構成する複数のパターンから寸法制御の対象となる対象パターンを抽出する対象パターン抽出工程と、前記仕上がり寸法評価式に、前記対象パターンと対応するマスクにおけるパターンの幅寸法、該パターンの両側に位置するマスクにおける第1のスペース及び第2のスペースの各幅寸法並びに前記LSI用パターンを形成するためのリソグラフィ工程における露光条件を代入することにより、前記対象パターンの仕上がり寸法を算出する仕上がり寸法算出工程と、算出された仕上がり寸法が許容範囲内であるか否かを判断し、算出された仕上がり寸法が許容範囲内であると判断するときに、前記仕上がり寸法評価式に代入されたパターン、第1のスペース及び第2のスペースの各幅寸法に基づいて前記LSI用パターンのマスクレイアウトを作成するレイアウト作成工程とを備えていることを特徴とするLSI用パターンのレイアウト作成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/82 ,  G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

H01L 21/82 D ,  G03F 1/08 T ,  H01L 21/30 502 P