特許

J-GLOBAL ID：200903002004601856

半導体素子用基板、半導体素子の製造方法及び半導体素子

発明者： 角谷 正友 ,  福家 俊郎 ,  吉村 克彦
出願人/特許権者： 静岡大学長
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-225122
公開番号（公開出願番号）：特開2002-037698
出願日： 2000年07月26日
公開日（公表日）： 2002年02月06日
要約：

【要約】【課題】 GaN単結晶と常温のみならず層形成時の加熱時においても格子定数が極めて一致する新規な基板を用い、貫通転位の極めて少ないGaN単結晶層を有する半導体素子を得る。【解決手段】 ペロブスカイト構造の(La0.29Sr0.71)(Al0.65Ta0.35)O3基板上に、AlN下地層を好ましくは9〜18nmの厚さに形成する。次いで、このAlN下地層上に、1100°C以下の温度でGaN単結晶層をエピタキシャル成長させて形成する。

請求項（抜粋）：

(La0.29Sr0.71)(Al0.65Ta0.35)O3なる組成を有し、ペロブスカイト型の結晶構造を有する単結晶材料からなることを特徴とする、GaN単結晶層を含む半導体素子用基板。

IPC (4件)：

C30B 29/24 ,  H01L 31/04 ,  H01L 31/10 ,  H01L 33/00

FI (4件)：

C30B 29/24 ,  H01L 33/00 C ,  H01L 31/04 E ,  H01L 31/10 A

Fターム (22件)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077ED06 ,  4G077EE06 ,  4G077EF01 ,  4G077HA06 ,  5F041AA40 ,  5F041CA22 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F049MB07 ,  5F049NA13 ,  5F049SS01 ,  5F049SS10 ,  5F051AA08 ,  5F051BA11 ,  5F051BA17 ,  5F051GA01 ,  5F051GA04 ,  5F051GA06 ,  5F051GA20

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特公昭59-048794
  
• 特開平2-229476