特許
J-GLOBAL ID：200903002004696105
ダイヤモンドライクカーボン厚膜の作製方法及び装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小林 良平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-213535
公開番号（公開出願番号）：特開平6-033239
出願日： 1992年07月16日
公開日（公表日）： 1994年02月08日
要約：
【要約】【目的】 数μm以上の厚いダイヤモンドライクカーボン(DLC)皮膜を、基材との剥離や皮膜内のクラックを全く発生させることなく、作製する。【構成】 カソード結合型プラズマ反応器内に炭化水素ガスを導入し、カソードに高周波電圧を印加して炭化水素ガスをプラズマ化させ、カソード上に載置した被コーティング材の表面に衝突させることにより該表面にDLC皮膜を作製するDLC皮膜作製方法において、カソード近傍に形成されるイオンシースにおける自己バイアス電圧Vdcが時間tとともに増減するように、カソードに印加する高周波の電力を変化させる。
請求項（抜粋）：
カソード結合型プラズマ反応器内に炭化水素ガスを導入し、カソードに高周波電圧を印加して炭化水素ガスをプラズマ化させ、カソード上に載置した被コーティング材の表面に衝突させることにより該表面にダイヤモンドライクカーボン皮膜を作製する方法において、カソード近傍に形成されるイオンシースにおける自己バイアス電圧が時間とともに増減するように、カソードに印加する高周波の電力を変化させることを特徴とするダイヤモンドライクカーボン厚膜の作製方法。
IPC (3件)：
C23C 16/26
, C30B 25/02
, C30B 29/04
