特許
J-GLOBAL ID：200903002009943917
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高野 則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-086998
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286205
出願日： 1999年03月29日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：
【要約】【課題】 低い不純物濃度を有する深い拡散領域と高い不純物濃度を有する浅い拡散領域とを短時間且つ良好に形成することが困難であった。【解決手段】 アルミニウムとホウ素と有機溶剤との混合物から成る液状不純物源2をN形半導体基板1の表面に塗布し、これをアルミニウムの拡散温度よりも低い温度で加熱して有機溶剤を蒸発させてアルミニウムとホウ素を含む層を形成する。この層を酸素を含む雰囲気中で熱処理する。しかる後、この熱処理温度よりも高い温度で熱処理してアルミニウム及びホウ素をN形半導体基板1内に拡散させて不純物濃度の異なる第1及び第2のP形半導体領域7、8を形成する。
請求項（抜粋）：
アルミニウムとホウ素と有機溶剤とを含む液状不純物源を用意する工程と、少なくとも表面にN形半導体領域を有するシリコン半導体基板の表面に前記液状不純物源を塗布する工程と、アルミニウムの拡散温度よりも低い温度で前記液状不純物源を加熱して前記有機溶剤を蒸発させ、前記半導体基板の表面に前記アルミニウムとホウ素を含む化合物の層を形成する工程と、前記化合物の層を有する前記半導体基板に酸素を含む雰囲気中で第1の熱処理を施して前記化合物の層を酸化する工程と、前記半導体基板に前記第1の熱処理よりも高い温度で第2の熱処理を施して、前記半導体基板内にアルミニウムとホウ素を拡散し、相対的に高い不純物濃度を有する第1のP形半導体領域と前記第1のP形半導体領域よりも低い不純物濃度を有し且つ前記第1のP形半導体領域よりも深く形成された第2のP形半導体領域とを得る工程とを有していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
FI (2件)：
H01L 21/225 D
, H01L 21/225 R
