特許

J-GLOBAL ID：200903002010883537

半導体装置の製造方法

発明者： 北角 英人
出願人/特許権者： 株式会社リコー
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-255592
公開番号（公開出願番号）：特開平9-074196
出願日： 1995年09月06日
公開日（公表日）： 1997年03月18日
要約：

【要約】【課題】 ホットキャリア劣化抑制が可能であり、さらに不純物濃度プロファイルが改善可能な、LDD構造を有するMOS半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板1表面へのゲート電極3及びゲート側壁酸化膜の形成後に、ゲート側壁酸化膜をマスクとしてソース/ドレイン高濃度不純物層5形成のための不純物注入を行い、その後、ゲート側壁酸化膜を除去し、さらにシリコン基板1表面を再酸化して酸化膜6を形成させ、ついでゲート電極3をマスクとして低濃度不純物層7(LDD)形成のための不純物注入を行う。

請求項（抜粋）：

シリコン基板表面へのゲート電極及びゲート側壁酸化膜の形成後に、ゲート側壁酸化膜をマスクとしてソース/ドレイン高濃度不純物層形成のための不純物注入を行い、その後、前記ゲート側壁酸化膜を除去し、さらにゲート電極をマスクとして低濃度不純物層(LDD)形成のための不純物注入を行う、LDD構造を有するMOS半導体装置の製造方法において、前記ゲート側壁酸化膜の除去後に、前記シリコン基板表面を酸化することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 301 P ,  H01L 29/78 301 L