単結晶の「ルツボ降下法」製造装置、及びそれを用いた単結晶の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長濱範明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-322973
公開番号（公開出願番号）：特開2006-131459
出願日： 2004年11月05日
公開日（公表日）： 2006年05月25日
要約：

【課題】ルツボ降下法において、結晶成長界面の位置をほぼ一定に維持して単結晶を安定して成長させることにより、高品質な単結晶を安定して得ることが可能な単結晶の製造方法及び装置を提供する。【解決手段】高温側炉室4と低温側炉室5とに鉛直方向に2室に分離する仕切り部6に相当する位置に配置されている温度測定手段と、第1及び第2のヒーター8,9とに電気的に接続されている制御手段2を備えており、前記温度測定手段が、前記仕切り部6内の所定の高さ位置におけるルツボ13の側面温度を測定し、前記制御手段が、得られた測定値に基づいて前記所定の高さ位置におけるルツボ13の側面温度が一定となるように前記第1及び/又は第2のヒーターを制御することによって、結晶成長界面の高さ方向の位置が一定となるように制御しつつ単結晶20を得る。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

炉室を形成する炉本体と、前記炉室を高温側炉室と低温側炉室とに鉛直方向に2室に分離する仕切り部に配置されている断熱板と、引き下げシャフトにより前記高温側炉室と前記低温側炉室との間を前記仕切り部を通って移動可能なように設置されたルツボと、前記高温側炉室内に配置された第1のヒーターと、前記低温側炉室内に配置された第2のヒーターとを備える単結晶の「ルツボ降下法」製造装置を用いて、前記ルツボの中に原料を入れて加熱溶融せしめた後、前記ルツボを高温側炉室内から低温側炉室内へと引き下げて結晶成長させる単結晶の製造方法であって、前記製造装置が、前記仕切り部に相当する位置に配置されている温度測定手段と、前記温度測定手段と前記第1及び第2のヒーターとに電気的に接続されている制御手段とを備えており、前記温度測定手段によって前記仕切り部内の所定の高さ位置におけるルツボの側面温度を測定し、得られた測定値に基づいて前記所定の高さ位置におけるルツボの側面温度が一定となるように前記第1及び/又は第2のヒーターを制御することによって、結晶成長界面の高さ方向の位置が一定となるように制御しつつ単結晶を得ることを特徴とする単結晶の製造方法。

IPC (1件)：

C30B 11/00

FI (1件)：

C30B11/00 Z

Fターム (10件)：

4G077AA02 , 4G077BE02 , 4G077CD02 , 4G077EG18 , 4G077EG25 , 4G077EH06 , 4G077HA01 , 4G077MB04 , 4G077MB23 , 4G077MB33

引用特許：

出願人引用 (2件)

特開平4-349198号公報
特開平4-349199号公報

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