特許

J-GLOBAL ID：200903002014048446

レンズ機能付きガラス導波路の製造方法およびそれを用いたLDアレイモジュール

発明者： 上塚 尚登
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 小山田 光夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-340917
公開番号（公開出願番号）：特開平6-167627
出願日： 1992年11月30日
公開日（公表日）： 1994年06月14日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 石英ガラス導波路、特にレンズ機能を有した導波路の製造方法と、それを用いた半導体レーザアレイモジュールを提供する。【構成】 垂直な方位が<1,0,0>であるSi基板上にバッファ層およびコア層を形成し、上記コア層を矩形状に反応性イオンエッチング法によりエッチングし、この上に火炎堆積法によりクラッド層を形成して燒結することにより導波路を得る工程、上記導波路上にWSi膜をスパッタ法により形成する工程、上記WSi膜上にフォトレジストを塗布しマスクを用いて露光させ、WSi層を反応性イオンエッチング法によりエッチングする工程、上記WSi層の下地のガラス導波路を反応性イオンエッチング法によりエッチングして端部の導波路に凸部を形成する工程、ウエットエッチング法によりエッチングして端部のクラッド層の長手方向に切り込まれた突出部を形成する工程、上記クラッド層の突出部を放電加工により加熱して表面張力により表面が滑らかなレンズ状とする工程とからなるレンズ機能付きガラス導波路の製造方法である。

請求項（抜粋）：

垂直な方位が<1,0,0>であるSi基板上にバッファ層およびコア層を形成し、上記コア層を矩形状に反応性イオンエッチング法によりエッチングし、この上に火炎堆積法によりクラッド層を形成して燒結することにより導波路を得る工程、上記導波路上にWSi膜をスパッタ法により形成する工程、上記WSi膜上にフォトレジストを塗布しマスクを用いて露光させ、WSi層を反応性イオンエッチング法によりエッチングする工程、上記WSi層の下地のガラス導波路を反応性イオンエッチング法によりエッチングして端部の導波路に凸部を形成する工程、ウエットエッチング法によりエッチングして端部のクラッド層の長手方向に切り込まれた突出部を形成する工程、上記クラッド層の突出部を放電加工により加熱して表面張力により表面が滑らかなレンズ状とする工程とからなるレンズ機能付きガラス導波路の製造方法。

IPC (2件)：

G02B 6/12 ,  H01J 3/18

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-156338
  
• 特開平4-116507
  
• 特開平4-166903