特許
J-GLOBAL ID：200903002020221486
半導体発光素子とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐野 静夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-280332
公開番号（公開出願番号）：特開平8-148716
出願日： 1994年11月15日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：
【要約】【目的】 発光効率の優れた半導体発光素子とその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 n-GaAs基板2、n-GaAsバッファ層3、n-AlGaInPクラッド層4、ノンドープAlGaInP活性層5、p-AlGaInPクラッド層6、p-AlGaAs層7、p-GaAsコンタクト層8をMOCVD法で連続的に結晶成長し、その上にショットキー形成電極10を蒸着し、更にその上にp側電極9を蒸着する。その後、エッチングによってコンタクト層8の周辺を除去する。
請求項（抜粋）：
AlGaInP系の化合物半導体を用いたpn接合から成る発光部を有する半導体発光素子において、光取り出し側の電極の一部をショットキー接合となるように形成したことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
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