特許
J-GLOBAL ID：200903002023545320
半導体メモリ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-080164
公開番号（公開出願番号）：特開平5-314765
出願日： 1992年04月02日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：
【要約】【目的】アクティブ時およびセルフリフレッシュ時のセルフリフレッシュ電流を低減することにある。【構成】基板電位Vsを検知する基板電圧検知回路1にスイッチ用トランジスタQCを設け、このQCをセルフリフレッシュ同期パルス発生回路6からのコントロール信号φsにより制御する。これにより、電流Idをセルフリフレッシュ中に止める。また、セルフリフレッシュ中のリフレッシュそのものの期間は電流Idを流し、接点電位Vdを検知することにより行う。
請求項（抜粋）：
セルフ・リフレッシュ機能を備えた半導体メモリにおいて、基板部に接続するとともにスイッチ手段を備えた基板電圧検知回路と、前記基板電圧検知回路の節点電位に基づき基板電圧を供給する基板電圧発生回路と、前記スイッチ手段を制御するためのコントロール信号を発生するセルフリフレッシュパルス発生回路とを有し、セルフリフレッシュ期間の一部の期間に前記基板電圧検知回路を停止させることを特徴とする半導体メモリ。
IPC (2件)：
G11C 11/403
, G11C 11/407
G11C 11/34 363 M
, G11C 11/34 354 F
