特許
J-GLOBAL ID：200903002024848475
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高野 則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-339814
公開番号（公開出願番号）：特開2003-142730
出願日： 2001年11月05日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
要約：
【要約】【課題】 消費電力及び動作電圧の低い半導体発光素子の低コスト化が困難であった。【解決手段】 シリコンから成る低抵抗性基板11の上に低屈折率領域12aと高屈折率領域12bとを交互に複数層形成したDBR反射層12を設ける。低屈折率領域12aをSi低ドープの低濃度層21とSi高ドープの高濃度層22とで構成する。DBR反射層12の上に窒化ガリウムから成るn形半導体領域14、窒化ガリウムインジウムから成る発光層15、窒化ガリウムから成るp形半導体領域16を順次に形成する。p形半導体領域16の上に第1の電極19を設け、低抵抗性基板11に第2の電極20を設ける。
請求項（抜粋）：
不純物を含むシリコン又はシリコン化合物から成り且つ低い抵抗率を有している基板と、前記基板の一方の主面上に配置された反射層と、発光機能を得るために前記反射層の上に配置された複数の窒化ガリウム系化合物層を含んでいる半導体領域と、前記半導体領域の表面上に配置された第1の電極と、前記基板の他方の主面に配置された第2の電極とを備えており、前記反射層は、屈折率が小さい低屈折率領域と前記低屈折率領域よりも屈折率が大きい高屈折率領域との複合体から成っており、前記低屈折率領域はドナ-不純物又はアクセプタ不純物が高濃度にドーピングされた高濃度層とこの高濃度層よりも低い濃度にドナ-不純物又はアクセプタ不純物がドーピングされた低濃度層とを有していることを特徴とする半導体発光素子。
Fターム (5件)：
5F041AA03
, 5F041CA33
, 5F041CA40
, 5F041CA58
, 5F041CB15
