基板処理方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2004016541
公開番号（公開出願番号）：WO2005-045916
出願日： 2004年11月08日
公開日（公表日）： 2005年05月19日
要約：

本発明は、有機シランガスを用いたプラズマCVD法により成膜される絶縁膜の低誘電率化と、機械的な強度の維持を可能とすることを目的としている。そのため、本発明では、被処理基板に有機シランガスを含む第1の処理ガスを供給してプラズマを励起することで、当該被処理基板上に絶縁膜を成膜する成膜工程と、前記成膜工程の後、前記被処理基板にH2ガスを含む第2の処理ガスを供給してプラズマ励起することで、当該絶縁膜の処理を行う後処理工程と、を有する基板処理方法であって、前記後処理工程のプラズマ励起は、マイクロ波プラズマアンテナにより行われることを特徴とする基板処理方法を用いている。

請求項（抜粋）：

被処理基板に有機シランガスを含む第1の処理ガスを供給してプラズマを励起することで、当該被処理基板上に絶縁膜を成膜する成膜工程と、前記成膜工程の後、前記被処理基板にH2ガスを含む第2の処理ガスを供給してプラズマ励起することで、当該絶縁膜の処理を行う後処理工程と、を有する基板処理方法であって、前記後処理工程のプラズマ励起は、マイクロ波プラズマアンテナにより行われることを特徴とする基板処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 , H01L 21/306

FI (2件)：

H01L21/316 P , H01L21/302 101H

Fターム (29件)：

5F004AA15 , 5F004BA06 , 5F004BB11 , 5F004BB13 , 5F004BB26 , 5F004BB28 , 5F004BC03 , 5F004CA01 , 5F004DA01 , 5F004DA02 , 5F004DA17 , 5F004DA18 , 5F004DA26 , 5F004DB00 , 5F004DB03 , 5F004EA28 , 5F058AA02 , 5F058AA10 , 5F058AC03 , 5F058AF01 , 5F058AG07 , 5F058AH02 , 5F058BA04 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BF07 , 5F058BF27 , 5F058BH16 , 5F058BJ02

引用特許：

出願人引用 (5件)

US 2001-0030369号公報
US 2002-0055275号公報
GB 2361808号公報

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