特許
J-GLOBAL ID:200903002035544346
フェライト材料
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
大場 充
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-195398
公開番号(公開出願番号):特開2005-029417
出願日: 2003年07月10日
公開日(公表日): 2005年02月03日
要約:
【課題】100°C近傍の高温域における飽和磁束密度が高く、かつ損失が低いフェライト材料を提供する。【解決手段】Fe2O3:62〜68mol%、ZnO:12〜20mol%、NiO:5mol%以下(但し、0を含まず)、LiO0.5:4mol%未満(但し、0を含まず)、残部実質的にMnOを主成分とする焼結体とする。このように、所定量のNiおよびLiをともに含有させることにより、高温域における飽和磁束密度が向上する。この焼結体によれば、100°Cにおける飽和磁束密度が480mT以上(測定磁界:1194A/m)、コア損失の最小値が1300kW/m3以下(測定条件:100kHz、200mT)、コア損失が最小値を示す温度であるボトム温度が60〜130°Cという特性を得ることができる。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
Fe2O3:62〜68mol%、ZnO:12〜20mol%、NiO:5mol%以下(但し、0を含まず)、LiO0.5:4mol%未満(但し、0を含まず)、残部実質的にMnOを主成分とする焼結体からなることを特徴とするフェライト材料。
IPC (4件):
C04B35/38
, C01G49/00
, C01G53/00
, H01F1/34
FI (4件):
C04B35/38 A
, C01G49/00 B
, C01G53/00 A
, H01F1/34 B
Fターム (39件):
4G002AA06
, 4G002AA07
, 4G002AA08
, 4G002AA12
, 4G002AB02
, 4G002AE02
, 4G018AA02
, 4G018AA04
, 4G018AA08
, 4G018AA15
, 4G018AA16
, 4G018AA17
, 4G018AA18
, 4G018AA19
, 4G018AA21
, 4G018AA23
, 4G018AA25
, 4G018AA29
, 4G018AA30
, 4G018AA31
, 4G018AA32
, 4G018AA33
, 4G018AA35
, 4G018AA36
, 4G018AA37
, 4G018AB08
, 4G018AC02
, 4G018AC14
, 4G018AC16
, 4G048AA04
, 4G048AB02
, 4G048AC03
, 4G048AD03
, 4G048AE05
, 5E041AB02
, 5E041BD01
, 5E041NN02
, 5E041NN13
, 5E041NN15
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