特許
J-GLOBAL ID：200903002038126715
セラミックインダクタ部品および複合積層部品
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石井 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-086433
公開番号（公開出願番号）：特開平5-258937
出願日： 1992年03月10日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：
【要約】【構成】 本発明は、セラミック磁性層31と内部導体35とを積層して構成されるインダクタチップ体3を有するセラミックインダクタ部品であり、前記セラミック磁性層31がNi-Cu-ZnフェライトまたはNi-Znフェライトを含有し、前記内部導体35がAgを主体とする導電材を含有し、前記セラミック磁性層31中のS成分の含有量が5〜70ppmで、かつCl成分の含有量が50〜300ppmである。【効果】 フェライト中のSおよびCl成分の含有量を所定範囲内に設定したことにより、導電体層中のAgのフェライト中への拡散が制御され、インダクタンスLおよびQが高い値に保持される。
請求項（抜粋）：
セラミック磁性層と内部導体とを積層して構成されるインダクタ部を有するセラミックインダクタ部品であって、前記セラミック磁性層がNi-Cu-ZnフェライトまたはNi-Znフェライトを含有し、前記内部導体がAgを主体とする導電材を含有し、前記セラミック磁性層中のS成分の含有量がS換算で5〜150ppm で、かつCl成分の含有量がCl換算で10〜300ppm であることを特徴とするセラミックインダクタ部品。
IPC (2件)：
引用特許：
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