特許
J-GLOBAL ID：200903002039433506
半導体レーザ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-022376
公開番号（公開出願番号）：特開平9-219561
出願日： 1996年02月08日
公開日（公表日）： 1997年08月19日
要約：
【要約】【課題】 半導体レーザのレーザ発振波長を温度変化にかかわらず再現性よく一定とする。【解決手段】 1.3μmから1.65μmの波長帯で使用される半導体レーザの構造を、Tl(タリウム)を含むIII-V 族半導体混晶からなる活性層と、Tlを含むまたは含まないIII-V 族半導体混晶からなる他の層(クラッド層等)とを有する二重ヘテロ構造、もしくは活性層としてTlを含むIII-V 族半導体混晶からなる井戸層と、Tlを含むまたは含まないIII-V 族半導体混晶からなる障壁層とを有する量子井戸構造とする。
請求項（抜粋）：
1.3μmから1.65μmの波長帯で使用される半導体レーザであって、Tlを含むIII-V 族半導体混晶からなる活性層と、Tlを含むまたは含まないIII-V 族半導体混晶からなる他の層とを有する二重ヘテロ構造からなることを特徴とする半導体レーザ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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