特許
J-GLOBAL ID：200903002044364016
バンプの形成方法及び半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
上柳 雅誉 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-079517
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282616
出願日： 2002年03月20日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：
【要約】【課題】 バンプの最表層に形成した置換めっきの緻密性及び平坦性を良好にして、バンプと基板の配線パターン等との接合性を向上させ、半導体装置が所望の性能を得られるようにする。【解決手段】 パッド上に無電解Niめっきを形成し、その上に無電解Cuめっき21を形成する。無電解Cuめっき21はそのCuの粒子径が粗いために表面に突部21aが生じ、その上に不均一な厚みの第1の空気酸化皮膜25が形成される。この第1の空気酸化皮膜25を除去し、無電解Cuめっき21をSnで置換すると、突部21aを中心にSnによる核28が成長し、不均一な厚みの暫定置換Snめっき27が形成される。そして、この暫定置換Snめっき27を剥離すると、無電解Cuめっき21の上に均一な厚みの第2の空気酸化皮膜29が形成される。この第2の空気酸化皮膜29を除去し、無電解Cuめっき21をSnで再度置換すると、良好な平坦性を有する置換Snめっき22が形成される。
請求項（抜粋）：
パッド上に第1金属層を設ける第1金属層形成工程と、その第1金属層を置換めっき法にて置換することにより、第2金属層を形成する第2金属層形成工程とを備えたバンプの形成方法において、前記第1金属層形成工程と前記第2金属層形成工程との間に、前記第1金属層を置換めっき法にて置換することにより、暫定置換めっき層を形成し、その暫定置換めっき層を剥離する前処理工程を備えたことを特徴とするバンプの形成方法。
FI (2件)：
H01L 21/92 604 D
, H01L 21/92 602 D
