特許

J-GLOBAL ID：200903002045432619

半導体装置

発明者： 中村 和敏
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-129063
公開番号（公開出願番号）：特開2008-289215
出願日： 2007年05月15日
公開日（公表日）： 2008年11月27日
要約：

【課題】スイッチング損失を低減させ、スイッチング時に電流の集中やラッチアップを抑制することができる半導体装置を提供する。【解決手段】入力電圧の端子とインダクタとの間に接続された複数のスイッチング素子と、スイッチング素子のゲート電極に接続され、スイッチング素子を駆動するドライバ回路と、スイッチング素子のソース電極に接続された基準電圧ラインと、ドライバ回路の電源ラインと、電源ラインと基準電圧ラインとの間に接続されたコンデンサとを同じ半導体基板に備えた。【選択図】図1

請求項１：

入力電圧の端子とインダクタとの間に接続された複数のスイッチング素子と、 前記スイッチング素子のゲート電極に接続され、前記スイッチング素子を駆動するドライバ回路と、 前記スイッチング素子のソース電極に接続された基準電圧ラインと、 前記ドライバ回路の電源ラインと、 前記電源ラインと前記基準電圧ラインとの間に接続されたコンデンサと、 を同じ半導体基板に備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H02M 3/155 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04

FI (4件)：

H02M3/155 T ,  H01L27/04 C ,  H01L27/04 F ,  H02M3/155 Y

Fターム (19件)：

5F038AC03 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038BH18 ,  5F038CA02 ,  5F038CA07 ,  5F038CD02 ,  5F038CD03 ,  5F038CD12 ,  5F038CD14 ,  5F038EZ20 ,  5H730AA14 ,  5H730AS01 ,  5H730AS05 ,  5H730BB13 ,  5H730DD04 ,  5H730EE13 ,  5H730ZZ11 ,  5H730ZZ13

引用特許：

出願人引用 (3件)

• トレンチショットキー整流器が組み込まれたトレンチ二重拡散金属酸化膜半導体トランジスタ
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-535170   出願人：ゼネラルセミコンダクター,インク.
• DC-DCコンバータ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-157877   出願人：富士電機デバイステクノロジー株式会社
• 電力用半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-167561   出願人：株式会社日立製作所

審査官引用 (2件)

• DC-DCコンバータ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-157877   出願人：富士電機デバイステクノロジー株式会社
• 電力用半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-167561   出願人：株式会社日立製作所