特許
J-GLOBAL ID：200903002048047910
試料薄膜化方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
煤孫 耕郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-018612
公開番号（公開出願番号）：特開平8-193929
出願日： 1995年01月11日
公開日（公表日）： 1996年07月30日
要約：
【要約】【目的】 試料の大面積を高精度に薄膜化するエッチング方法を提供する。【構成】 試料の一方の面を所望の厚さまでイオンビームにより掘削した後、他方の面から前記掘削箇所より大面積にイオンビームを照射して掘削するもので、ずに示すように試料の非研磨面の中心に、FIB装置を用いてGaイオンビームを照射しマーカー(2)を作製する。次に、試料のマーカー(2)の掘削ない面である、研磨面(3)を機械研磨法によって前記試料の厚さを約30μmにした。次いで、上記工程で研磨した面(3 ́)を上にして、マーカーを作製した時と同様に、FIB装置に装着し、研磨面(3 ́)中のマーカー(2)の位置に対応する箇所に、Gaイオンビームを照射し、前記試料を厚さ約5.52μmに薄膜化することができた。
請求項（抜粋）：
試料の一方の面を所望の深さまで掘削し、前記試料の他方面側から前記掘削箇所より広い面積を掘削し、前記試料の一方の面を所望の深さまで掘削した箇所が露出するまで掘削することにより試料全体を所望の厚さに作製することを特徴とする試料薄膜化方法。
IPC (2件)：
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