半導体不揮発性記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：加藤朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-148311
公開番号（公開出願番号）：特開平9-307009
出願日： 1996年05月17日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：

【要約】【課題】データ書き換えごとにデータ保持特性が劣化するのを抑制するようにした、浮遊ゲートを有する半導体不揮発性記憶装置の提供。【解決手段】浮遊ゲートに蓄積された電子をソースにFNトンネル放出する消去動作の後、引き続き、ソース、ドレイン及び半導体基板を接地電位にして、制御ゲートに正電圧と負電圧の一連の電気パルスを印加する。

請求項（抜粋）：

ソース、及びドレインと、前記ソース、ドレイン間のゲート絶縁膜、浮遊ゲート、層間絶縁膜、及び制御ゲートが積層して構成されてなる記憶素子を有する半導体不揮発性記憶装置において、前記浮遊ゲートに蓄積された電子を放出する動作のあと、前記制御ゲートに正電圧と負電圧の一連の電気パルスを印加し、前記ゲート絶縁膜に捕獲された電荷を放出させる動作を駆動する手段を備えたことを特徴とする半導体不揮発性記憶装置。

IPC (5件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , G11C 16/06 , H01L 27/115

FI (3件)：

H01L 29/78 371 , G11C 17/00 530 Z , H01L 27/10 434

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