特許

J-GLOBAL ID：200903002055062160

超伝導超格子結晶デバイス

発明者： 大矢 銀一郎 ,  入江 晃亘
出願人/特許権者： 宇都宮大学長
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-025512
公開番号（公開出願番号）：特開平7-235700
出願日： 1994年02月23日
公開日（公表日）： 1995年09月05日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 銅酸化物系高温超伝導体を用いたトンネル接合形ジョセフソン素子を、同超伝導体の結晶構造を特徴づける特有の積層構造を利用して構成した超伝導超格子結晶デバイスの提供。【構成】 極低温で歪みが小さく熱膨張率が小さいセラミック基板11と、基板上に形成された微細加工の施された超伝導超格子結晶12と、結晶層上に設けられた絶縁層と、結晶層上に設けられた制御端子として働く圧電素子と、これら素子及び基板を覆うよう嵌め合される基板材料と同質のセラミックカバー14と、セラミックカバー固定用バネクリップ15とより成り、結晶層上と絶縁層上とにそれぞれ設けられた制御電極をそれぞれリード線により基板上に設けられた制御電極に接続し、超伝導層/半導体又は絶縁層/超伝導層積層の構造に対し垂直方向の超伝導層間の電子的結合を外部より機械的ならびに電気的、磁気的に制御し得るよう構成した。

請求項（抜粋）：

超伝導超格子結晶デバイスは、極低温で歪みが小さく熱膨張率が小さいセラミック基板と、該基板上に形成された微細加工の施された超伝導超格子結晶と、該結晶層上に設けられた絶縁層と、該結晶層上に設けられた制御端子として働く圧電素子と、これら素子及び基板を覆うよう嵌め合される基板材料と同質のセラミックカバーと、前記セラミックカバー(補助的)固定用バネクリップとより成り、前記結晶層上と絶縁層上とにそれぞれ設けられた制御電極をそれぞれリード線により基板上に設けられた制御電極に接続し、前記超伝導層/半導体又は絶縁層/超伝導層積層の構造に対し垂直方向の超伝導層間の電子的結合を外部より機械的ならびに電気的、磁気的に制御し得るよう構成したことを特徴とする超伝導超格子結晶デバイス。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-204484
  
• 特開昭64-017420
  
• 特開平3-071646