特許

J-GLOBAL ID：200903002058010640

強誘電体薄膜の評価方法

発明者： 吉田 親子
出願人/特許権者： 科学技術庁長官官房会計課長
代理人 (1件)： 眞鍋 潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-342797
公開番号（公開出願番号）：特開2001-160575
出願日： 1999年12月02日
公開日（公表日）： 2001年06月12日
要約：

【要約】【課題】 強誘電体薄膜の評価方法に関し、強誘電体薄膜の膜厚変化の電圧依存性を高い精度で自動的に測定するとともに、電圧依存性をもたらす要因を解析する。【解決手段】 原子間力顕微鏡を用いて導電性針2によって強誘電体薄膜1を有する試料3にパルス電圧VB を印加し、強誘電体薄膜1の膜厚変化分を測定する際に、パルス電圧VB の振幅を電圧印加手段によって変化させるとともに、検出出力をロックインアンプ4を通して測定する。

請求項（抜粋）：

原子間力顕微鏡を用いて導電性針によって強誘電体薄膜を有する試料にパルス電圧を印加し、前記強誘電体薄膜の膜厚変化分を測定する強誘電体薄膜の評価方法において、前記パルス電圧の振幅を電圧印加手段によって変化させるとともに、検出出力をロックインアンプを通して測定することを特徴とする強誘電体薄膜の評価方法。

IPC (8件)：

H01L 21/66 ,  G01B 21/08 ,  G01B 21/30 ,  G01N 13/10 ,  G01N 13/16 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (7件)：

H01L 21/66 L ,  G01B 21/08 ,  G01B 21/30 Z ,  G01N 13/10 G ,  G01N 13/16 A ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651

Fターム (24件)：

2F069AA46 ,  2F069AA60 ,  2F069BB40 ,  2F069DD16 ,  2F069DD30 ,  2F069GG01 ,  2F069GG07 ,  2F069GG62 ,  2F069HH05 ,  2F069JJ12 ,  2F069LL03 ,  2F069NN00 ,  4M106AA01 ,  4M106AA07 ,  4M106AB08 ,  4M106AB20 ,  4M106BA14 ,  4M106BA20 ,  4M106CA48 ,  4M106CA70 ,  5F083FR01 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083ZA20