特許
J-GLOBAL ID:200903002065617917
有機絶縁膜の加工方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
高橋 勇
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-227964
公開番号(公開出願番号):特開2000-058517
出願日: 1998年08月12日
公開日(公表日): 2000年02月25日
要約:
【要約】【課題】 ?@.保護膜の膜厚を薄くすることにより、保護膜の応力に起因する有機絶縁膜の損傷を回避する。?A.有機絶縁膜の膜厚を厚くすることにより、有機絶縁膜の機能を十分に発揮させる。?B.保護膜の膜厚のばらつきを低減させる。【解決手段】 本発明に係る有機絶縁膜18の加工方法は、基板10上に有機絶縁膜18、保護膜20及び金属膜をこの順に形成し、この金属膜上にパターニングしたフォトレジストを形成し、このフォトレジストをマスクとして金属膜をエッチングし、残った金属膜をマスクとして保護膜20及び有機絶縁膜18をエッチングする、というものである。マスクとしての膜厚が保護膜20に要求されることがないので、保護膜20を十分に薄くできる。有機絶縁膜18は、保護膜20と無関係に任意の膜厚にできるので、十分に厚くできる。
請求項(抜粋):
基板上に有機絶縁膜、保護膜及び金属膜をこの順に形成し、この金属膜上にパターニングしたフォトレジストを形成し、このフォトレジストをマスクとして前記金属膜をエッチングし、残った前記金属膜をマスクとして前記保護膜及び前記有機絶縁膜をエッチングする、有機絶縁膜の加工方法。
IPC (4件):
H01L 21/3065
, H01L 21/338
, H01L 29/812
, C07C 13/06
FI (3件):
H01L 21/302 H
, C07C 13/06
, H01L 29/80 Q
Fターム (25件):
4H006AA03
, 4H006AB78
, 4H006FC56
, 5F004AA16
, 5F004DA01
, 5F004DA26
, 5F004DB03
, 5F004DB07
, 5F004DB08
, 5F004DB23
, 5F004EA05
, 5F004EA06
, 5F004EA07
, 5F004EA17
, 5F004EA26
, 5F004EB01
, 5F004EB02
, 5F004FA01
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ05
, 5F102GR04
, 5F102GV05
, 5F102HC16
引用特許:
審査官引用 (8件)
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特開昭58-114433
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特開平1-236681
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特開昭62-195125
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半導体装置およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-224539
出願人:日本電気株式会社
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特開平4-044226
-
特開昭62-186534
-
特開昭51-092176
-
特開昭60-092633
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