特許
J-GLOBAL ID:200903002067791434

多層配線基板の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高田 守
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-071551
公開番号(公開出願番号):特開平6-283863
出願日: 1993年03月30日
公開日(公表日): 1994年10月07日
要約:
【要約】【目的】 製造期間の短縮化と高密度実装化を図る。【構成】 ベース基板1上に下層導体2を形成し、下層導体2上に絶縁体3を形成する。絶縁体3の表面に金属膜9を形成し、レジストをパターンニングしてバイアホール6をエッチングにより穿設し、さらに、レジスト10をパターンニングする。そして、下層導体2を電極として電気めっきにより導体をバイアホール6に埋設するとともに、金属膜9上に上層導体5を析出する。
請求項(抜粋):
ベース基板上に絶縁体と導体とで配線層が形成され、導体が2層以上形成された多層配線基板の製造方法において、下層導体表面に絶縁体を形成する工程と、この絶縁体上に金属膜を形成し、この金属膜をパターンニングする工程と、この金属膜にマスキングして前記絶縁体にバイアホールを設ける工程と、前記絶縁体上に上層導体形成用のレジストをパターンニングする工程と、前記下層導体を電気めっきの電極として導体となる金属で前記バイアホールを埋設するとともに、前記金属膜上に前記導体となる金属で上層導体を形成する工程と、前記レジストおよび上層導体以外の金属膜を除去する工程とで構成されたことを特徴とする多層配線基板の製造方法。

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