特許

J-GLOBAL ID：200903002073131080

磁歪材料及びその製造方法

発明者： 森 輝夫 ,  高橋 淳一
出願人/特許権者： TDK株式会社
代理人 (1件)： 木森 有平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-272381
公開番号（公開出願番号）：特開2007-084853
出願日： 2005年09月20日
公開日（公表日）： 2007年04月05日
要約：

【課題】 磁化を減少させる因子を極力排除し、磁歪特性や透磁率に優れた磁歪材料を提供する。【解決手段】 多結晶構造を有するとともに、RT2(ただし、Rは1種類以上の希土類元素であり、Tは1種類以上の遷移金属元素である。)で表される主相及び前記主相よりも希土類元素の比率が高い希土類リッチ相を有する磁歪材料である。主相と希土類リッチ相の合計組成をRTxとしたときに、1.98≦x≦2.00である。粉末冶金法により多結晶構造の磁歪材料を製造するに際し、所定期間真空下で焼結を行う。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

多結晶構造を有するとともに、RT2(ただし、Rは1種類以上の希土類元素であり、Tは1種類以上の遷移金属元素である。)で表される主相及び前記主相よりも希土類元素の比率が高い希土類リッチ相を有する磁歪材料であって、 前記主相と希土類リッチ相の合計組成をRTxとしたときに、1.98≦x≦2.00であることを特徴とする磁歪材料。

IPC (7件)：

C22C 38/00 ,  C22C 19/00 ,  C22C 22/00 ,  C22C 27/06 ,  C22C 27/04 ,  C22C 1/04 ,  C22C 33/02

FI (7件)：

C22C38/00 303Z ,  C22C19/00 H ,  C22C22/00 ,  C22C27/06 ,  C22C27/04 102 ,  C22C1/04 F ,  C22C33/02 H

Fターム (16件)：

4K018AA08 ,  4K018AA11 ,  4K018AA22 ,  4K018AA27 ,  4K018AB01 ,  4K018AC04 ,  4K018BA05 ,  4K018BA14 ,  4K018BA18 ,  4K018BB04 ,  4K018BB06 ,  4K018CA02 ,  4K018CA07 ,  4K018DA32 ,  4K018DA33 ,  4K018KA42

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 磁歪材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-370960   出願人：ティーディーケイ株式会社