レジスト用材料、該材料を用いた感光性樹脂組成物および該組成物を半導体装置の製造に使用する方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：朝日奈宗太 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-287660
公開番号（公開出願番号）：特開2000-122283
出願日： 1998年10月09日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：

【要約】【課題】微細パターンにおけるパターンのがたつきが低減される感光性レジスト用材料、該材料を用いた感光性樹脂組成物および該組成物を半導体装置の製造に使用する方法を開発する。【解決手段】パターン生成の際に生じるエッジのがたつきを自己再配列によって抑制することのできるレジスト用材料を用いる。

請求項（抜粋）：

一般式(I):【化1】(式中、R1は水素原子、炭素数1〜4の炭化水素基、炭素数1〜10のアルコキシル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、-SR3、炭素数6〜20の芳香族基、ただしR3は、水素原子、炭素数1〜5の炭化水素基、Aは、CH2=C(R2)-COO-(CH2)n-、CH2=C(R2)-O-CO-(CH2)n-、CH2=CH-O-(CH2)n-、CH2=C(R2)-COO-(CH2)n-O-、ただしR2は、水素原子、炭素数1〜4の炭化水素基、-CN、ハロゲン原子、nは1〜10の整数)で表わされる化合物、一般式(II):【化2】(式中、R1は前記と同じ、Bは、CH2=C(R2)-COO-、CH2=C(R2)-COO-(CH2)n-、CH2=C(R2)-O-CO-(CH2)n-、CH2=CH-O-CH2-、CH2=CH-、mは1〜10の整数、ただしR2、nは前記と同じ)で表わされる化合物、一般式(III):【化3】(式中、R1、R2、nは前記と同じ)で表わされる化合物および一般式(IV):【化4】(式中、R1、R2、nは前記と同じ)で表わされる化合物よりなる群からえらばれた少なくとも1種を含む単量体を(共)重合させてなるアルカリ可溶性レジスト用材料。

IPC (7件)：

G03F 7/033 , G03F 7/039 601 , H01L 21/027 , C08F 12/22 , C08F 16/14 , C08F 18/04 , C08F 20/26

FI (7件)：

G03F 7/033 , G03F 7/039 601 , C08F 12/22 , C08F 16/14 , C08F 18/04 , C08F 20/26 , H01L 21/30 502 R

Fターム (36件)：

2H025AB16 , 2H025AC01 , 2H025AC05 , 2H025AC06 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BG00 , 2H025CB14 , 2H025CB17 , 2H025CB41 , 2H025CB43 , 2H025CB45 , 2H025CB52 , 4J100AB07P , 4J100AE09P , 4J100AE09Q , 4J100AG08P , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100BA02Q , 4J100BA03P , 4J100BA03Q , 4J100BA15P , 4J100BA15Q , 4J100BA16Q , 4J100BA20Q , 4J100BA22P , 4J100BA22Q , 4J100BC43P , 4J100BC43Q , 4J100BC53P , 4J100CA04 , 4J100DA38 , 4J100FA02 , 4J100JA38 , 4J100JA46

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