特許
J-GLOBAL ID：200903002084247900
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-279426
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121472
出願日： 1991年10月25日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】LSIチップを、実装基板に実装する時に、ボンディング材料による配線導体の短縮を防止する。【構成】半導体素子を実装する実装基板1の配線導体2よりも厚い絶縁樹脂6を形成する工程を有する。
請求項（抜粋）：
配線導体が形成された実装基板に、LSIチップを搭載し、樹脂で封止した半導体装置において、前記実装基板の配線導体間に配線導体よりも厚さの厚い絶縁樹脂を形成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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