特許
J-GLOBAL ID：200903002084267978
樹脂封止型半導体装置の製造方法およびその製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-077416
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274195
出願日： 1998年03月25日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：
【要約】【課題】 樹脂封止型半導体装置の製造工程において、封止テープを装着しながら樹脂封止を行なうに際し、封止テープのシワの発生を抑制する。【解決手段】 封止金型は上金型112aと下金型112bとからなり、下金型112bには、4つの真空引き穴113及び各真空引き穴113間を連通させる真空引き溝114が設けられている。下金型112bの上に封止テープ106を載置し、その上に半導体チップ102が搭載されたリードフレームを載置する。下金型112bに形成された4ケ所の真空引き穴113を介して封止テープ106を金型内で4方向に真空引きし、均一に延ばして樹脂封止する。封止テープに張力を付与しながら樹脂封止することにより、樹脂封止時の熱収縮による封止テープのシワ発生を防止することができ、樹脂の裏面が平坦になる。クランパや、凸部-凹部間の係合を利用して封止テープに張力を付与してもよい。
請求項（抜粋）：
封止金型と半導体チップと周辺部材とを用意する第1の工程と、封止テープを上記周辺部材の表面の一部に密着させながら上記封止金型に装着する第2の工程と、上記封止テープに張力を与えながら封止テープを装着した状態で上記半導体チップ及び上記周辺部材の少なくとも上記表面の一部を除く部分を封止樹脂内に封止する第3の工程とを備えている樹脂封止型半導体装置の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 21/56
, B29C 33/18
, B29C 33/68
, B29C 45/14
, H01L 23/28
, B29L 31:34
H01L 21/56 T
, B29C 33/18
, B29C 33/68
, B29C 45/14
, H01L 23/28 F
