特許
J-GLOBAL ID：200903002085117295
半導体処理装置とその前処理方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-009547
公開番号（公開出願番号）：特開平5-198515
出願日： 1992年01月23日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：
【要約】【目的】 半導体処理装置とその前処理方法に関し,発塵量を低減して, デバイスの製造歩留と信頼性を向上し且つ処理装置の稼働率と信頼性の向上を目的とする。【構成】 1)被処理基板の処理を行う処理室と,該処理室内を加熱する手段と,処理に使用する排気系とは別の水分除去用の排気系を有する,2)堆積,エッチング等の処理開始前に処理室内を加熱する工程と,該加熱中に処理に使用する排気系とは別の排気系を使用して該処理室内の水分を除去する,3)前記加熱が反応生成物を発生しない性質のガスのプラズマを処理室内に発生させて行われる,4)前記ガスが希ガス,フッ素系ガス,塩素系ガスであるように構成する。
請求項（抜粋）：
被処理基板の処理を行う処理室と,該処理室内を加熱する手段と,処理に使用する排気系とは別の水分除去用の排気系を有することを特徴とする半導体処理装置。
IPC (2件)：
H01L 21/205
, H01L 21/302
