特許
J-GLOBAL ID：200903002087276803
スパッタリング用ターゲット
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八木田 茂 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-107975
公開番号（公開出願番号）：特開平6-322530
出願日： 1993年05月10日
公開日（公表日）： 1994年11月22日
要約：
【要約】【構成】 本発明はスパッタリング用ターゲットであって、該ターゲットはチタニウムとアルミニウムの拡散反応層単独又はチタニウムとアルミニウムの拡散反応層と高純度チタニウム及び高純度アルミニウムとの少なくとも1種からモザイク状に構成されている。【効果】 上記の如き構成とすることにより、所望の組成の良質な安定した半導体デバイス用の薄膜が比較的容易に得ることができる。
請求項（抜粋）：
高純度チタニウムと高純度アルミニウムで構成され、かつチタニウムとアルミニウムの拡散反応層をチタニウムとアルミニウムとの界面に有していることを特徴とするスパッタリング用ターゲット。
IPC (4件)：
C23C 14/34
, C22C 1/00
, C22C 1/02
, C22C 14/00
