特許
J-GLOBAL ID：200903002087770263
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-220011
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054505
出願日： 1997年07月30日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、プラズマCVD法によるシリコン窒化膜の形成に制限を加えることなく、形成後のシリコン窒化膜の水素含有量を低減することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板(1、11)表面を覆うパシベーション膜及び/又は層間絶縁膜として使用するシリコン窒化膜(9、19、23)をプラズマCVD法により形成する工程と、前記シリコン窒化膜を真空雰囲気中で熱処理して水素含有量を減少させる工程とを備えるように、半導体装置の製造方法を構成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板表面を覆うパシベーション膜及び/又は層間絶縁膜として使用するシリコン窒化膜をプラズマCVD法により形成する工程と、前記シリコン窒化膜を真空雰囲気中で熱処理して水素含有量を減少させる工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/318
, H01L 21/331
, H01L 29/73
H01L 21/318 B
, H01L 29/72
