特許

J-GLOBAL ID：200903002089116340

半導体素子のソース/ドレイン形成方法

発明者： ウー ボン リー ,  サン キ ホン ,  ユン アーム ヤン ,  ヤエ ウォアン コー ,  イル スン ヒュン
出願人/特許権者： ヒュンダイ エレクトロニクス インダストリイズ カンパニー リミテッド
代理人 (1件)： 長谷 照一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-261227
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204161
出願日： 1993年10月19日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：

【要約】【目的】 半導体素子に浅い結合のソース/ドレインを形成する【構成】 半導体基板にソース/ドレインを形成する不純物イオンを注入した後に該不純物イオン注入層下にAr+イオンを注入して非晶質層を形成し、その後に熱処理をすることを特徴とする半導体素子のソース/ドレインを形成する方法。

請求項（抜粋）：

半導体基板にソース/ドレインを形成する不純物イオンを注入した後に該不純物イオン注入層下にAr+イオンを注入して非晶質層を形成し、その後に熱処理をすることを特徴とする半導体素子のソース/ドレイン形成方法。

FI (4件)：

H01L 21/265 Q ,  H01L 21/265 W ,  H01L 21/265 A ,  H01L 21/265 L

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平4-085926