特許

J-GLOBAL ID：200903002089706520

高密度実装モジュール用基板及びその製造方法

発明者： 黒光 祥郎 ,  豊田 誠司 ,  菅村 邦夫 ,  中林 明
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-243660
公開番号（公開出願番号）：特開平8-109085
出願日： 1994年10月07日
公開日（公表日）： 1996年04月30日
要約：

【要約】【目的】 放熱特性に優れICチップ等の素子を高密度に実装する。またAlN焼結体とガラスを含む層との接合界面で気泡がなく、ガラスを含む層との密着性に優れる。薄膜多層回路を実装したときに薄膜にふくれを生じない。【構成】 板状の窒化アルミニウム焼結体の上にAl2O3層12と、Al2O3にガラスが混在したガラス混在Al2O3層13と、Al2O3、TiO2及びZrO2粒子よりなる群より選ばれた1種又は2種以上の酸化物粒子がガラスに分散した酸化物粒子分散ガラス層14と、酸化物粒子が含まれない主ガラス層16とを含む。開口部14a,16aをICチップ18実装用の空所17とする。空所17に面するガラス混在Al2O3層13の上にはSiO2層15を備えることが好ましい。

請求項（抜粋）：

板状の窒化アルミニウム焼結体(11)と、前記焼結体(11)上にAl2O3層(12)を介して又はAl2O3層(12)を介さずに設けられAl2O3にガラスが混在したガラス混在Al2O3層(13)と、前記ガラス混在Al2O3層(13)上に1又は2以上の第1開口部(14a)を有するように設けられかつAl2O3、TiO2及びZrO2粒子よりなる群より選ばれた1種又は2種以上の酸化物粒子がガラスに分散した酸化物粒子分散ガラス層(14)と、前記酸化物粒子分散ガラス層(14)上に前記第1開口部(14a)に相応して1又は2以上の第2開口部(16a)を有するように設けられかつ前記酸化物粒子が含まれない主ガラス層(16)とを含み、前記第1及び第2開口部(14a,16a)をICチップ(18)実装用の空所(17)とする高密度実装モジュール用基板。

IPC (3件)：

C04B 41/89 ,  B41J 2/335 ,  H05K 1/03 610

FI (2件)：

B41J 3/20 111 C ,  B41J 3/20 111 H