特許
J-GLOBAL ID：200903002090159982
半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-053753
公開番号（公開出願番号）：特開平5-258565
出願日： 1992年03月12日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：
【要約】【目的】 半導体記憶装置の消費電流を低減することを目的とする。【構成】 リフレッシュ動作モード時においては昇圧ワード線駆動信号の昇圧レベルを保持する動作を禁止するかまたはデータ書込モード時にはデータ書込信号に応答して昇圧ワード線駆動信号の昇圧レベル保持動作を行なう。【効果】 必要なときにのみ昇圧信号の昇圧レベルの保持動作が行なわれるため、この保持動作に要する消費電流を低減することができる。
請求項（抜粋）：
動作電源電圧以上の電位レベルに昇圧された昇圧信号を発生する昇圧信号発生手段、前記昇圧信号の昇圧電位レベルを保持するための昇圧レベル保持手段、および予め定められた動作モードを指示する動作モード指示信号に応答して、前記昇圧レベル保持手段の保持動作を禁止する保持動作禁止手段を備える、半導体記憶装置。
引用特許：
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